賽默飛CID檢測器的讀數(shù)方法介紹

　　賽默飛CID檢測器是一種電荷注入器件，其基本結構與CCD相似，也是一種MOS結構，當柵極上加上電壓時，表面形成少數(shù)載流子(電子)的勢阱，入射光子在勢阱鄰近被吸收時，產(chǎn)生的電子被收集在勢阱里，其積分過程與CCD一樣。

　　賽默飛CID檢測器是為了適應全譜直讀電感耦合等離子體光譜儀的二維分光色散系統(tǒng)而推出的平面檢測器，統(tǒng)稱為電荷轉移檢測器。CID是一種具有電容特性的檢測器，相對來說對紅外敏感，因此需要鍍膜將紫外光轉換為紅端的光;由于靈敏度差、讀數(shù)噪聲大，CID采用一種叫非破壞性讀數(shù)的方式不斷累積電荷提高靈敏度，同時從統(tǒng)計學意義上賽默飛CID檢測器可以降低讀數(shù)噪聲。

　　一個單獨的賽默飛CID檢測器檢測單元包括兩個導電性的電極和引線，做在一個很薄的硅氧化物或氮化物絕緣層上，即橫向電極和縱向電極，在橫向電極上有一個讀數(shù)放大器，兩個電極之間加以偏壓，開始積分時，先在row上加以很小的正電壓，而在column上加以很小的負電壓，光照在檢測器表面上時，產(chǎn)生的正電荷向column電極上聚集，當讀數(shù)時，將row上的負電壓去掉，同時將column上的電壓轉為小的正電壓，電荷從column上轉移到row上，即可讀出在row上聚集的電荷所產(chǎn)生的電壓，此為一次讀數(shù)。又經(jīng)過一段積分后，將column上加以負電壓，row上加以正電壓，此時電荷從row電極下轉移到column電極下，此時又可讀出row電極上的電壓變化，即二次讀數(shù)，然后再在row上加以負電壓，column上加以正電壓，使電荷再轉移回到row電極下，并重復一次讀數(shù)的過程，當全部積分結束，進行一次讀數(shù)時，在兩個電極上同時加以正電壓，使電荷注入CID基體，此時讀出row電極上電壓的變化即為賽默飛CID檢測器讀數(shù)的結果。